IGTBMOS功率循环老化系统-产品展示-苏州倍晟美半导体有限公司
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IGTBMOS功率循环老化系统

时间:2018.04.28    浏览 706 次
IGTBMOS功率循环老化系统

★符合标准:MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等试验标准。

★适用范围:适用于各种封装形式的大功率IGBT、MOS管功率循环寿命试验。

★技术特点:

●试验电流ICE / IDS设定。

●每个试验通道的风散热风道、ON/OFF控制系统都完全独立。

●监控样管的管壳温度TC。

★技术性能

产品型号

PC20B08CTC

产品名称

IGTB/MOS功率循环老化系统( 中小功率)

试验腔体

28个,水平风道,强迫风冷,风机转速可调

试验通道

8

试验容量

20×8=160

电源

8

独立散热风道

8

ON/OFF控制系统

8ON/OFF时间循环模式或温度循环模式可选配

驱动检测板

8

上位机

工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标。

基本功能

试验电流ICE / IDS程控设定,电流设定范围0.54.0A

试验电流ICE / IDS、管压降VCE / VDS等老化参数上限设定,老化时间设定。

◆ON/OFF时间、循环次数、老化时间等可设定。

温度循环高低点、超温保护、超上下保护模式可设定。

实时监测显示老化参数(ICE / IDSVCE / VDSTC)及老化时间、老化进度。

实时记录保存老化参数(ICE / IDSVCE / VDSTC)。

实时判断是否超限,超限报警并记录超限工位及超限时间。

老化参数方便调用、可生成试验报表、可绘制相关变化曲线。

电网要求

单相AC220V4KW

外形尺寸

W×H×D140×188×126cm

重量

400kg